单项选择题
当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）
A.P区；N区；升高；降低 B.N区；P区；升高；降低 C.N区；P区；降低；升高 D.P区；N区；降低；升高
单项选择题 硅光电池实验中用发光二级管做光源照射光电池表面，发光二级管输出功率（）
单项选择题 光电池处于零偏或负偏时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi，式中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长（）
单项选择题 给PN结加反向电压（反偏）时，耗尽层将（）
