black

模拟电子技术

登录

问答题

计算题

已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为KP=0.2mA/V2,VP=0.5V,iD=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压vGS和漏源电压vDS等于多少?

【参考答案】


相关考题

问答题 设计一稳压管并联式稳压电路,要求输出电压Vo=4V,输出电流Io=15mA,若输入直流电压VI=6V,且有10%的波动。试选用稳压管型号和合适的限流电阻值,并检验它们的功率定额。

问答题 电路如图所示,D为硅二极管,VDD=2V,R=1k,正弦信号vs=50sin(2π×50t)mV。 (1)静态(即vs=0)时,求二极管中的静态电流和vo的静态电压; (2)动态时,求二极管中的交流电流振幅和vo的交流电压振幅; (3)求输出电压vo的总量。

问答题 二极管稳压电路如图所示。 (1)近似计算功率管的耗散功率PZ,并说明在何种情况下,PZ达到最大值或最小值; (2)计算负载吸收的功率; (3)限流电阻R所消耗的功率为多少?

All Rights Reserved 版权所有©PP题库网库(pptiku.com)

备案号:湘ICP备14005140号-5

经营许可证号:湘B2-20140064