问答题 电路如图所示，设MOS管的参数为UGS（th）=1V，IDO =500uA。电路参数为VDD=5V，－VSS=－5V，Rd=10kΩ，R=0.5kΩ，IDQ=0.5mA。若流过Rg1、Rg2的电流是IDQ的1/10，试确定Rg1和Rg2的值。

问答题 已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和Au。

问答题 两个场效应管的转移特性曲线分别如图 （a）、（b）所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。