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问答题

计算题

电路如图所示,设R1=R2=100kΩ,VDD=5V,Rd=7.5kΩ,VT=-1V,KP=0.2mA/V2。试计算如图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。

【参考答案】


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问答题 电路如图所示。 (1)当输入方波电流的频率为200Hz时,计算输出电压的平顶降落; (2)当平顶降落小于2%时,输入方波的最低频率为多少?

问答题 电路如图所示(射极偏置电路),设信号源内阻Rs=5k,电路参数为:Rb1=33k,Rb2=22k,Re=3.9k,RC=4.7,RL=5.1k,在Re两端并接一电容Ce=50μF,VCC=5V,IEQ≈0.33mA,βo=120,rce=300k,rbb’=50,fT=700MHz及Cb’e=1pF。求: (1)输入电阻Ri; (2)中频区电压增益; (3)上限频率fH。

问答题 一单级阻容耦合共射放大电路的通频带是50Hz~50kHz,中频电压增益,最大不失真交流输出电压范围是-3V~+3V。 (1)若输入一个10sin(4π×103t)(mv)的正弦波信号,输出波形是否会产生频率失真和非线性失真?若不失真,则输出电压的峰值是多大?间的相位差是多少? (2)若vi=40sin(4π×25×103t)(mV),重复回答(1)中的问题; (3)若vi=10sin(4π×50×103t)(mV),输出波形是否会失真?

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