单项选择题
在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。
A.禁带较窄 B.禁带较宽 C.禁带是间接跃迁型 D.禁带是直接跃迁型
单项选择题 在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料()。
单项选择题 若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是()。
单项选择题 重空穴指的是()。