单项选择题
在成核生长型相变过程中,在一定范围内,随着过冷度增加,成核位垒∆G*(),晶核形成越()。
A.增加;容易B.下降;困难C.增加;困难D.下降;容易
单项选择题 晶核的界面能γLS()和相变热∆H(),均有利于晶核形成。
多项选择题 相变过程的推动力可表示为()的函数。
单项选择题 对于吸热的相变过程,系统实际相变温度应比理论相变温度(),相变才能自发进行。