问答题
增加金硅面垒探测器的反向电压，会有什么好处，又会有什么坏处？应该怎么选择反向电压的大小？好处是
增大灵敏体积，减小结电容（电容噪声小）； 坏处是反向电流会增大； 反向电压有一个最优值，此时能量分辨率最好。
问答题 在影响半导体探测器分辨率的各项因素中，电荷灵敏前置放大器的噪声也是重要的一项。什么是零电容噪声，什么是噪声斜率？如果零电容噪声为1keV，噪声斜率为0.03keV/pf，现知道由前放造成的能量展宽为7keV，哪么探测器的电容是多大？
问答题 综合考虑各项因素对能量分辨率的影响之后，我们将得到一个总的能量展宽ΔE。各分项因素的贡献ΔE1，ΔE2，ΔEi等与ΔE之间存在什么关系？
问答题 要实现这么好的能量分辨率，势必要考虑其它因素对能量分辨率的“败坏”问题，有什么因素会使金硅面垒探测器测量到的能量分辨率变差呢？
