填空题
ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
n；p
问答题 比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 （1）掺0.1mg/kg的As （2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al （3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al （4）掺1mg/kg的Al
问答题 什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？
问答题 判断下列物质是否可能为n型或p型半导体： （1）掺As的Ge （2）掺Ga的Ge
