单项选择题
单管DRAM位线上的分布电容电荷大，降低了存储高电平的电位，仅达到（），因此需要增加灵敏恢复/放大电路放大电压，达到高电平的值。
A.0.1VB.0VC.0.2VD.1V
多项选择题 四管动态存储单元电路不需要灵敏恢复/放大电路的原因是（）。
单项选择题 QDR SDRAM为（）。
单项选择题 可变模计数器，或者其他多变化控制电路可用（）输入条件改变。
