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电路与模拟电子技术基础

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问答题

计算题

电路如图所示,已知FET的Uth=3V、Kn=0.1mA/V2。现要求该电路中FET的IDQ=1.6mA,试求Rd的值应为多大?

【参考答案】

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问答题 电路如图所示,已知VT在UGS=5V时的ID=2.25mA,在UGS=3V时的ID=0.25mA。现要求该电路中FET的VDQ=2.4V、IDQ=0.64mA,试求: (1)管子的Kn和Uth的值; (2)Rd和RS的值应各取多大?

问答题 试求图所示每个电路的UDS,已知|IDSS|=8mA。

问答题 电路如图所示,MOSFET的Uth=2V,Kn=50mA/V2,确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。

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