填空题
用直拉法生长硅单晶,当生长界面凸向熔体时,单晶生长界面不但受到()作用还受到()的作用。
曲率效应;浮力
填空题 生长界面具有表面张力,一个弯曲表面一定受到一个法向力的作用,法向力主要作用是克服()。
填空题 正温度梯度,在溶质边界层内,产生的过冷区不是由于负温度梯度产生的,而是由于()而引起的,故称组分过冷。
填空题 正温度梯度中在溶质边界层内,熔体的实际温度比熔体应有的()高,在熔体内部的界面附近形成了过冷区,这个区域中的熔体处于()。