单项选择题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
A.刻蚀 B.氧化 C.淀积 D.光刻
单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。
