单项选择题
干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。
A.稍高于 B.大大于 C.等于 D.没有要求
单项选择题 下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些()。
单项选择题 二氧化硅薄膜的折射率是表征其()学性质的重要参数。
单项选择题 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。