问答题 某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.5×1016cm-3，势垒高度为0.64eV，加上4V的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？

问答题 设有一半导体锗组成的突变pn结，已知n区施主浓度ND=1015/cm3，p区受主浓度NA=1017/cm3，试求室温（300K）下该pn结的接触电势差VD。

问答题 假设Si中空穴浓度是线性分布，在4µm内的浓度差为2×1016cm-3，试计算空穴的扩散电流密度。