填空题
CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。
针孔密度低、界面态密度低、可动电荷密度低和固定电荷密度低、介电击穿高；含Cl；含N
填空题 用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）
填空题 氧化层厚度的测量方法主要有：（）。
填空题 氧化时（）称为分凝效应。B在氧化硅中的含量高于Si衬底中的含量，分凝系数（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si衬底中含量，分凝系数（）1。
