单项选择题
晶粒长大的平均速率与晶粒的起始粒径成(),临界晶粒尺寸与第二相杂质的体积分数成()。
A.正比;正比B.正比;反比C.反比;正比D.反比;反比
单项选择题 晶粒长大速率与温度和晶粒的曲率半径有关,温度越高,晶粒长大速率();曲率半径越大,晶粒长大速率()。
判断题 实际烧结中,几种传质过程可单独进行或几种同时进行,特定条件下是某种或几种机理起主导作用,条件改变时传质机理也随之发生变化。
多项选择题 溶解-沉淀传质过程中需要控制的工艺参数有()。