单项选择题
从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施（）。
A.发射区掺杂浓度高，集电结面积小B.发射区掺杂浓度高，集电结面积大C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小D.发射区掺杂浓度第低，集电结面积大
单项选择题 晶体三极管的发射极正偏，集电极正偏时，晶体三极管所处的状态是（）。
单项选择题 二极管正极电位为5.6V，负极电位为5V，则该管处于（）。
单项选择题 在桥式全波整流电路中，所用整流二极管的数量是（）。
