单项选择题
元器件引线在成型过程中,弯曲半径应大于()的引线直径。
A.1倍 B.2倍 C.3倍 D.4倍
单项选择题 如钽电容引线有熔接点,弯曲点不允许在熔接点和元器件之间,熔接点到弯曲点之间应保留()距离合适。
单项选择题 元器件引线经过弯曲成形,表面镀层剥落不应大于引线直径的()。
单项选择题 搪锡高度距元器件引线根部大约是()。