单项选择题
三维封装叠层存储器的工艺顺序是（）
A.堆叠→灌封→切割→金属化→激光刻蚀B.灌封→堆叠→切割→金属化→激光刻蚀C.切割→金属化→激光刻蚀→堆叠→灌封D.金属化→堆叠→切割→灌封→激光刻蚀
单项选择题 薄膜电阻方阻越大，热处理后阻值变化率（）
单项选择题 单位面积的电阻上能承受的功率称为（）
单项选择题 电阻膜层过厚，可能使膜层（）增加。
