单项选择题
半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm，则GaAs的禁带宽度为（）
A.1.42JB.1.42eVC.1.42E-3JD.1.42E-3eV
单项选择题 已知一He-Ne激光器（波长为632.8nm）出射激光束的光子流速率N为9.55E16个/秒，则该束激光功率为（）
多项选择题 直视型真空图像探测器由几部分组成（）
单项选择题 像管的响应时间大约为（）
