单项选择题
当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率().
A.上升 B.下降 C.不变 D.不确定
单项选择题 制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是().
单项选择题 测量硅中氧浓度常用的方法是().
单项选择题 下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。