问答题 增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。

问答题 电路如图所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻Rs＝5K的信号源．电路参数为：Rb1＝33K，Rb2＝22K。Re＝3．9K，Rc＝4．7K，RL＝5．1K，Ce＝50μF（与Re并联的电容器）．Vcc＝5V．IE≈0.33mA，β0＝120，rce＝300K，rbb′=50，fT=700MHZ及Cb′c=1pF。求 （1）输入电阻Ri； （2）中频区电压增益|AVM|； （3）上限频率fH。

问答题 一高频BJT，在Ic＝1.5mA时，测出其低频H参数为：rbe＝1.1K，βo＝50，特征频率fT＝100MHz，Cb′c=3pF，试求混合Ⅱ型参数gm、rb′e、rbb′、Cb′e。