判断题 在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

判断题 工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。

判断题 金属氧化物避雷器总泄漏电流主要由流过阀片的电容电流、电阻电流和流过绝缘体的电导电流三部分组成。