black

防雷安全知识竞赛、防雷检测考试

登录

判断题

非欧姆ZnO半导体陶瓷的I-V特性主要是由晶粒边界的肖特基势垒控制的,所以经交流负荷后I-V特性曲线的蜕变应归因于肖特基势垒的变化。

【参考答案】

错误

(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)

相关考题

判断题 在暂态过电压作用下,放电管会延时放电。如果过电压波的波头上升陡度du/dt较小,在过电压值达到放电管的直流放电电压ufdc后,放电管要经过几个毫秒才能放电。

判断题 齐纳二极管或雪崩二极管本体长度时就需要30ps时间,再加上管子引线寄生电感产生的时延,管子的实际响应时间估计可达数十个ns。

判断题 TVS是一种硅PNP结器件,它能吸收很高的瞬态电压,利用这种器件可以避免过高的瞬态电压对电压敏感的器件造成损坏。

All Rights Reserved 版权所有©PP题库网库(pptiku.com)

备案号:湘ICP备14005140号-5

经营许可证号:湘B2-20140064