单项选择题
非晶硅的PIN结构的P部分是采用()形成的。
A.SiH4加PH3 B.SiH4加BH3 C.PH3加BH3 D.SiH4加B2H6
单项选择题 非晶硅的制备需要的冷却速度至少()。
单项选择题 非晶硅的禁带宽度为()。
单项选择题 非晶硅的沉积温度为()。