问答题
简述在生长III-V族化合物时指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生长机理。
问答题 为什么从70年代初就对GaN开展了研究工作但一直进展缓慢？
问答题 依据相图，LPE生长GaAs时说明如何从A点开始外延生长。
问答题 GaAs成为继Si之后重要半导体材料的重要特征有哪些？
