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问答题

计算题

两级阻容耦合放大电路如图所示,已知T1管为N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管,gm=2mS,T2管为双极型晶体管,β=50,rbe=1kΩ,rce可忽略。
(1)求第二级电路的静态工作点ICQ2和VCEQ2;
(2)若电路中所有电容的容抗在中频区域内可忽略,试求该电路的中频电压放大倍数AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro;
(3)当加大输入信号时,该放大电路是先出现饱和失真还是先出现截止失真?其最大不失真输出电压Vomax为多少?

【参考答案】



相关考题

问答题 如图所示N沟道JFET构成的放大电路,JFET的VGSoff=-2V,IDSS=5mA,S1处于开路状态。 (1)说明C1、C2、C3和C4的作用; (2)说明R3和R5的作用; (3)计算电路的输入阻抗Ri、输出阻抗Ro和电压放大倍数AV; (4)现将N沟道JFET换成HFE=100的BJT,且S1闭合,分析输入阻抗、输出阻抗和增益的变化; (5)比较共源JFET放大器和共射BJT放大器的优缺点。

问答题 电路如图所示,其中三极管β=100,rbb′300,VBEQ=0.7V。 (1)求静态工作点ICQ1、VCEQ1、ICQ2和VCEQ2的值; (2)求中频段电压放大倍数AV=Vo/Vi; (3)求电路下限截止频率fL; (4)如果试图提高电路的下限截止频率,而手头没有多余的元器件,对电路中的元器件做怎样调整,可以实现这个目的。

问答题 射极输出器如图所示,已知VBE=0.7V,β=50。 (1)求静态值IB、IC和VCE; (2)求中频参数AV,Ri和Ro; (3)求该电路的最大输出电压幅值Vom; (4)当C2=1μF时,求其引起的下限频率fL; (5)若要使Vomax为最大(忽略饱和压降),Rb应调为多大?这时输出幅值Vomax为多少?

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