单项选择题
通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。
A、温度场 B、磁场 C、重力场 D、电场
单项选择题 硅的晶格结构和能带结构分别是（）.
单项选择题 固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。
单项选择题 如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
