单项选择题
在外消旋体中加入少量纯对映体晶体,熔点下降者为()
A.外消旋混合物B.外消旋化合物C.固体溶液D.拆分剂
单项选择题 在外消旋体中加入少量纯对映体晶体,熔点上升者为()
单项选择题 手性源法是将()的底物,通过化学修饰的方法,得到新的手性产物的方法。
多项选择题 工艺过程控制方法应具有技术难度低,方法可操作性强的特点,同时满足如下要求()