问答题
某MOSFET的IDSS=10mA且UP=-8V。(1)此元件是P沟道还是N沟道?(2)计算UGS=-3V是的ID;(3)计算UGS=3V时的ID。
问答题 图所示为场效应管的输出特性曲线,分别判断各场效应管属于何种类型(结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N沟道或P沟道),说明它的夹断电压Up(或开启电压Uth)为多少。
问答题 图所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压Uth(或夹断电压Up)约是多少。
问答题 设三极管的参数为UBE=0.7V,UT=26mV,VCC=9V,设计一个微电流源电路,使IR=50μA,Io=15μA。