问答题 电路如图所示，设Vi＝6sinωbV，试绘出输出电压Vo的波形。设D为硅二极管，使用恒压降（0.7V）模型和折线模型（Vth＝0.6V，rD＝40）进行分析。

问答题 试述BJT基区宽度调制效应产生的原因，VA如何定义。

问答题 共射电路如图所示。已知晶体管的β＝50；ICBO=0，VB=5.6V，RB=100kΩ，VCC=12V，VBE（on）=0.6V。 （1）如RC=2kΩ，试求基极电流IB集电极电流IC和VCE的值，并说明电路的工作状态。 （2）如RC=5.1kΩ，重复（1）。 （3）如晶体管工作在放大状态，调节RB使集电极电流IC=2mA，电压∣VA∣=120V，rbb′=50Ω，试画出晶体管的低频微变等效电路，并标出元件值。