问答题
已知硅p+n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结Ci=8.45×10-36cm-1，锗pn结Ci=6.25×10-34cm-1）
问答题 在杂质浓度ND=2×1015cm-3的硅衬底上扩散硼形成pn结，硼扩散的便面浓度为NA=1018cm-3，结深5μm，求此pn结5V反向电压下的势垒电容。
问答题 硅突变pn结NA=5×1018cm-3，ND=1.5×1016cm-3，设pn结击穿时的最大电场为Ec=5×105V/cm，计算pn结的击穿电压。
问答题 硅pn结的杂质浓度，计算pn结的反向击穿电压，如果要使其反向电压提高到300V，n侧的电阻率应为多少？
