单项选择题
II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。
A.点阵中的金属原子间隙 B.一种在禁带中引入施主的点缺陷 C.点阵中的点阵中的金属原子空位 D.一种在禁带中引入受主的位错
单项选择题 电子在晶体中的共有化运动是指（）。
单项选择题 最小电导率出现在（）型半导体。
问答题 硝酸（HNO3）。
