填空题
EPROM的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。写入程序时，在漏极和衬底之间加足够高的反向脉冲电压，可使PN结产生雪崩击穿，产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入浮置栅中。当将外部提供的电源去掉后，（）中的电子无放电回路而被保留下来。
浮置栅；浮置栅
单项选择题 下列哪个逻辑门可以实现吸收大负载电流功能（）
填空题 动态MOS存储单元是利用（）存储信息的，为了不丢失信息，必须（）。
单项选择题 下列关于反逻辑式和对偶式的变换方法的说法不正确的是（）
