单项选择题
以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。
A.会促进氧沉淀的形成B.在机械性质上对硅晶体有益C.在现在的制造技术中浓度一般小于1016每立方厘米D.一般处于替位态
单项选择题 以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。
单项选择题 以下对于直拉生长描述错误的是（）。
单项选择题 在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）。
