问答题
详述影响硅外延生长速率的因素。
问答题 要拉制30g,ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶,所用的杂质为Ga-Ge合金,合金中P型Ge浓度为Cm=1017cm-3,原料为纯Ge,问需要多少克Ga-Ge合金?
问答题 每拉出g=1/2处,ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g,所用的硅是区熔硅(即纯硅),问要掺杂质硼多少克?
问答题 简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。