问答题
说明影响氧化速率的因素。
1)氧化剂分压因为平衡情况下,SiO2中氧化剂的浓度C0=HPg,而抛物型速率常数B=2D
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问答题 简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程,并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
问答题 简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
问答题 以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。