问答题
有一块掺磷的n型硅,ND=1015cm-3,分别计算温度为①77K;②300K;③500K;④800K时导带中电子浓度。
问答题 若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 ①99%电离; ②90%电离; ③50%电离时温度各为多少?
问答题 若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①99%电离; ②90%电离; ③50%电离时温度各为多少?
问答题 以施主杂质电离90%作为强电离的标准,求掺砷的n型锗在300K时,以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。