单项选择题

A、VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0
B、VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀
C、VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢
D、VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止