相关考题
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单项选择题
迁移率的典型单位是（）。
A.cm3/s
B.cm2/V
C.cm3/V·s
D.cm2/V·s -
单项选择题
关于NMOSFET发生GIDL现象时，描述错误的是（）。
A.电子流向漏极
B.空穴流向源极
C.现象区处于强反型状态
D.p+区价带中的电子隧穿至n+区的导带内 -
单项选择题
在恒定电场缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则门延迟为原器件的（）倍。
A.1/k3
B.1/k
C.1
D.1/k2
