单项选择题
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
A.刻蚀速率
B.选择性
C.各向同性
D.各向异性
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单项选择题
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻胶
D.去离子水 -
多项选择题
在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。
A.MOS栅极
B.保护性元件
C.电容器极板
D.制造只读存储器PROM
E.晶圆背面电镀 -
多项选择题
铜与铝相比较，其性质有（）。
A.铜的电阻率比铝小
B.铝的熔点较高
C.铝的抗电迁移能力较弱
D.铜与硅的接触电阻较小
E.铜可以在低温下淀积
