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单项选择题
（）是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。
A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT -
单项选择题
电力场效应晶体管的英文表示为（）。
A.GTO
B.GTR
C.电力MOSFET
D.IGBT -
单项选择题
使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（）V。
A.（-5）-（-15）
B.10-15
C.15-20
D.20-25
