相关考题
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单项选择题
半导体的制程工序有多少道？（）
A.200~400
B.400~600
C.600~800
D.800~1000 -
单项选择题
热扩散炉需要给杂质气体加热的温度是（）。
A.600~800℃
B.800~1000℃
C.1000~1200℃
D.1200~1400℃ -
单项选择题
哪些是薄膜形成的技术？（）
A.物理气相沉积
B.化学气相沉积
C.液相生长法，电镀、阳极氧化
D.其余全是
