单项选择题
以下关于“光电二极管与光电池不同之处”的叙述不正确的是（）
A.它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较高，而光电二极管掺杂浓度低；
B.它们的电阻率不同，光电池的电阻率低；
C.工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而光电二极管通常在反向偏置下工作；
D.它们的光电流的大小不同，光电池的光电流小得多，通常在微安级。
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单项选择题
如图所示为结型光电器件的伏安特性曲线，第三象限是（）状态，其工作方式被称为（）模式，工作在这一区域的器件称为（）。请选择正确的答案（）
A.正偏压---光电导---光敏电阻；
B.反偏压---光电导---光敏二极管；
C.正偏压---光伏---光敏二极管；
D.反偏压---光伏---光电池。 -
单项选择题
当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。
A.P区；
B.N区；
C.结区；
D.中间区。 -
单项选择题
当半导体材料受到光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率的变化，这种现象称为（）
A.光伏效应；
B.光电导效应；
C.光电发射效应；
D.光热效应。
