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多项选择题
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3 -
单项选择题
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
A.多晶硅
B.单晶硅
C.铝硅铜合金
D.铜 -
单项选择题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
A.等离子体刻蚀
B.反应离子刻蚀
C.湿法刻蚀
D.溅射刻蚀
