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电路与模拟电子技术基础
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问答题
计算题
电路如图所示，已知FET的U
th
=3V、K
n
=0.1mA/V
2
。现要求该电路中FET的I
DQ
=1.6mA，试求R
d
的值应为多大？
【参考答案】
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问答题
电路如图所示，已知VT在UGS=5V时的ID=2.25mA，在UGS=3V时的ID=0.25mA。现要求该电路中FET的VDQ=2.4V、IDQ=0.64mA，试求： （1）管子的Kn和Uth的值； （2）Rd和RS的值应各取多大？
问答题
试求图所示每个电路的UDS，已知|IDSS|=8mA。
问答题
电路如图所示，MOSFET的Uth=2V，Kn=50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。
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