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单项选择题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
A.刻蚀
B.氧化
C.淀积
D.光刻 -
单项选择题
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min -
单项选择题
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
