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单项选择题
关于BJT的结构特点说法错误的是（）。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积 -
单项选择题
BJT处于截止状态的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏 -
单项选择题
已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V，则6V所对应的电极为（）。
A.发射极
B.集电极
C.基极
