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单项选择题
非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。
A.SiH4加PH3
B.SiH4加BH3
C.PH3加BH3
D.SiH4加B2H6 -
单项选择题
非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。
A.104℃/s
B.105℃/s
C.103℃/s
D.102℃/s -
单项选择题
非晶硅的禁带宽度为（）。
A.2.12eV
B.1.6eV
C.1.5eV，并且在一定程度上可调
D.1.12eV
