单项选择题
关于RAS#Precharge描述正确的是（）
A.列地址至行地址的延迟时间，简称RCD
B.行地址控制器延迟时间
C.列动态时间，也称tRAS，表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟
D.列地址控制器预充电时间，简称tRP
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单项选择题
关于RAS#toCAS#的描述正确的是（）
A.列地址至行地址的延迟时间，简称RCD
B.内存位宽的英文缩写
C.CPU二级缓存的英文缩写
D.行地址控制器延迟时间 -
单项选择题
关于CAS#Latenry的描述正确的是（）
A.CPU的主频
B.行地址控制器延迟时间
C.硬盘的转速
D.CPU二级缓存 -
单项选择题
DDR500的内存位宽是（）
A.PC3200
B.PC2700
C.40000
D.PC2100
